- Strefa klienta
0
twój koszyk
0
Koszyk jest pusty
Realizuj zamówienie
Suma
0
-
-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Symbol:
MZ-77E1T0B/EU
480.00
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin - dostępny w magazynie dostawcy |
| Cena przesyłki | 8.9 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806090545917 |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
| Interfejs | SATA |
| Typ dysku | SSD |
| Pojemność dysku | 1 TB |
| Kolor obudowy | Czarny (Black) |
| Format dysku | 2,5 cala |
| Prędkość odczytu (max) | 560 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 530 MB/s |
| Technika zapisywania danych | TLC |
| Odczyt losowy | 98000 IOPS |
| Zapis losowy | 88000 IOPS |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
| Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
| Typ kości pamięci | V-NAND |
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
