-
Dysk SSD MSI SPATIUM M460 1TB PCIe Gen4x4 NVMe M.2 2280 (5000/4500 MB/s) 3D NAND
Symbol:
S78-440L930-P83
416.00
Wysyłka w ciągu | 48 godzin - dostępny w magazynie dostawcy |
Cena przesyłki | 8.9 |
Dostępność | 13 szt. |
Kod kreskowy | |
EAN | 4711377022514 |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 550000 IOPS
Zapis losowy: 950000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, Controller: PHISON E21T, TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition)
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 550000 IOPS
Zapis losowy: 950000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, Controller: PHISON E21T, TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition)
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Typ dysku | SSD |
Pojemność dysku | 1 TB |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Format dysku | M.2 2280 |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Prędkość odczytu (max) | 5000 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 4500 MB/s |
Odczyt losowy | 550000 IOPS |
Zapis losowy | 950000 IOPS |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Typ kości pamięci | 3D NAND |