- Strefa klienta
0
twój koszyk
0
Koszyk jest pusty
Realizuj zamówienie
Suma
0
-
-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (5000/2500 MB/s) 3D TLC
Symbol:
HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/512G/PCIE4/WW
191.00
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin - dostępny w magazynie dostawcy |
| Cena przesyłki | 8.9 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 6974202725280 |
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 430000 IOPS
Zapis losowy: 530000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.1 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 430000 IOPS
Zapis losowy: 530000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.1 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
| Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
| Typ dysku | SSD |
| Pojemność dysku | 512 GB |
| Kolor obudowy | Czarny (Black) |
| Gwarancja producenta | 60 |
| Format dysku | M.2 2280 |
| Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 2000000 h |
| Prędkość odczytu (max) | 5000 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 2500 MB/s |
| Technika zapisywania danych | TLC |
| Odczyt losowy | 430000 IOPS |
| Zapis losowy | 530000 IOPS |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 900.0 |
| Typ kości pamięci | 3D NAND |
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
