• Akcesoria
  • Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC

Symbol: AG450E500G-G
298.00
szt. Do przechowalni
Wysyłka w ciągu 48 godzin - dostępny w magazynie dostawcy
Cena przesyłki 8.9
Odbiór osobisty 0
Odbiór osobisty po przedpłacie 0
Orlen Paczka 8.9
Dostawa na terenie miasta Krakowa 10
Odbiór w Punkcie DPD Pickup - Żabka i inne 10.99
InPost Paczkomat® 24/7 12
Przesyłka kurierska - przedpłata 15
Przesyłka kurierska - za pobraniem 25
Dostępność 10 szt.
EAN 4719331849627
Rodzina dysków: Gen4 5000E

Pojemność dysku: 500 GB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: 3D NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s

Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs PCIe NVMe 4.0 x4
Typ dysku SSD
Pojemność dysku 500 GB
Typ złącza M.2 (NGFF)
Format dysku M.2 2280
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
Prędkość odczytu (max) 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max) 3800 MB/s
Technika zapisywania danych TLC
Rodzina dysków Gen4 5000E
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
TBW (ang. Total Bytes Written) 300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. Tak
Typ kości pamięci 3D NAND
Podpis
E-mail
Zadaj pytanie